Semicondutor
Ij semicondutor a son ëd material con proprietà elétriche antrames tra cole dij condutor e cole dj'isolant. Soa condutività a peul esse modificà për mojen ëd temperadura, ëd lus, o an giontand d'ampurità (process ciamà dopagi). Ij semicondutor pì dovrà a son ël silissi (silicon), ël germani, e ël arseniur ëd galio. Costi materiaj a son essensiaj ant l'elaborassion dij circuit integrà, dij transistor, e d'àutri component eletrònich.
Stòria
[modìfica | modifiché la sorgiss]Lë studi dij semicondutor a l'ha avù soe orìgin ant ël sécol ch'a fa XIX. Dël 1833, Michael Faraday a l'ha osservà che ël sulfur d'argent a diminuiss soa resistensa con l'aumenté dla temperadura, l'opòst dij metaj. Dël 1874, Karl Ferdinand Braun a l'ha studià ël comportament dij semicondutor ant ij contat dij cristaj. Contut, la teorìa modërna a l'é dësvlupasse ant j'agn '30 e '40 dël sécol ch'a fa XX, con la mecànica quantìstica. Ant ël 1947, John Bardeen, Walter Brattain, e William Shockley a l'han fabricà ël prim transistor a semicondutor, rivolussionand la tecnologìa.
Descrission
[modìfica | modifiché la sorgiss]Ij semicondutor a travajo për mojen ëd la strutura ëd soe bande d'energìa: la banda ëd valensa (pì bassa) e la banda ëd condussion (pì àuta). Lë spassi antrames, ciamà gap ëd banda, a detèrmina la facilità con la qual j'eletron a peulo passé a la banda ëd condussion. Ant ij semicondutor pur (intrìnsech), la condutività a dipend da la temperadura. Ant coj dopà (estrìnsech), as gionto d'àtom d'ampurità për creé dij portador ëd càrica:
- Semicondutor ëd tipo N: Gionta d'àtom con pì eletron (es. fòsfor ant ël silissi).
- Semicondutor ëd tipo P: Gionta d'àtom con men d'eletron (es. boro ant ël silissi).
La giunzion tra semicondutor N e P a forma un dìod, ch'a përmet ël passage ëd corent mach an na diression.
Proprietà
[modìfica | modifiché la sorgiss]Condutività variàbil: A peul esse controlà con dopagi o temperadura.
Efet fotoelétrich: La lus a peul aumenté la condutività (es. ant le cèlule solari).
Sensibilità a le ampurità: Na quantità cita ëd dopant a peul cangié dramaticament le proprietà elétriche.
Aplicassion
[modìfica | modifiché la sorgiss]Ij semicondutor a son fondamentaj ant:
- Transistor: Component base për l'amplificassion e lë switch ëd signaj.
- Circuit integrà: Memòria, microprocessor, e sensor.
- Dìod a emission ëd lus (LED): Conversion d'energìa elétrica an lus.
- Cèlule solari: Trasformassion ëd l'energìa solar an eletricità.
- Sensòr: Temperadura, lus, pression.
Vardé ëdcò
[modìfica | modifiché la sorgiss]Arferiment
[modìfica | modifiché la sorgiss]Shockley, W. (1950). Electrons and Holes in Semiconductors. Van Nostrand.
Bardeen, J. (1947). "The Physical Principles of Semiconductor Devices". Bell System Technical Journal.